Dostalo se mi této informace od zkušeného pána:
"Chyba nastala pravděpodobně po instalaci „nového“ Boucherotova členu, díky kterému se rozkmitaly koncové tranzistory do stavu, kdy došlo k současnému otevření kladné i záporné větve, což způsobilo zkrat.
Tranzistory IGBT jsou vhodné a používají se k buzení plynových plazmových zobrazovačů apod. Tam je naprosto definovaná zátěž.
V případě buzení reprosoustavy dochází k mnoha neřešitelným kontroverzním kolizím:
Reprosoustava už ze své povahy je naprosto nelineární zátěž – už jen samotný reproduktor: cívka s velmi malým vnitřním odporem se pohybuje ve štěrbině sycené 1Tesla proti zátěži – reálnému vzduchovému sloupci. Vše se navíc komplikuje RLC výhybkami s velkou strmostí.
Toto způsobuje energetické odrazy PSV v uzlových frekvencích, energetickými zázněji které vznikají různými kombinacemi reálných RLC struktur.
Zesilovač odešel již při napojení na odporovou zátěž! Co to znamená: KONCOVÝ STUPEŇ JE NEVHODNÝ PRO TAKOVOUTO APLIKACI. Samotný IGBT tranzistor je značně problematický pro použití s nízko ohmovou zátěží! Největší komplikací je tlumení oblasti báze proti můstku emitor-kolektor. Báze se chová jako fet a emitor-kolektor jako planár. Při práci do nízko ohmové zátěže není fet dostatečně tlumen přenosovými parametry h21 a tak se na výstupu při vybuzení dějí věci.
Boucherotův člen byl zkoumán a empiricky upravován pro tranzistorové zesilovače, aby omezil tzv. tranzistorový zvuk, ke kterému docházelo vlivem přechodových nelinearit starých typů tranzistorů: KU apod.
Pro čtyř ohmový výstup by měl mít hodnoty součástek: maximálně 3 až 5 závitů Cu drát 1,5mm navinut na průměru 1,5 – 2cm, zatlumené odporem 2 ohmy na výstupu s kondenzátorem M1 uzemněným v sérii odporem 2ohmy. Toto je ryze empirická skutečnost, ke které došli soudruzi ve svazarmu HI-FI AMA Praha v roce 1971. Nebyly počítače, tak to empiricky zkoušeli. Dnes by to šlo určitě emulovat pomocí počítače, kam by se zadaly tyto hodnoty a něco by z toho vylezlo.
Každopádně je IGBT naprosto nevhodný pro nízko ohmovou zátěž hudebního zesilovače.
Překopal bych to na kvalitní planárně epitaxní tranzistory MJE apod. a užíval bych si bezvadných parametrů vysoké izolace, nízkého šumu aj.