Téma: Kterak přesně a zároveň snadno párovat transistory VMOS
konkrétně pro použití ve vstupním diferenciálním zesilovači. Tyto transistory jsou zpravidla vyráběny v tzv. obohaceném módu, tj. n-kanál musí mít kladné předpětí Uds ( typicky někde mezi + jedním až dvěma volty ), zatímco p-kanál musí mít záporné předpětí - Uds ( typicky někde mezi - dvěmi až třemi volty ). Absolutní velikost tohoto předpětí není pro funkci v diferenciálním zesilovači důležitá, ale je důležité, aby toto napětí bylo u obou transistorů shodné, což se nejlépe pozná při měření v jednoduchém přípravku pomocí střídavého nf generátoru a osciloskopu. Postavte si proto ten nejjednodušší střídavý zesilovač : Napájení + 12 V, odpor v obvodu drainu 6k2. Odpor v nastavení předpětí Uds cca 100 kohm, víceotáčkový trimr. Měřený transistor je do obvodu zasouván pomocí třípólového precizního soketu. Obvod gejtu i drainu je stejnosměrně oddělen pomocí svitkového kondenzátoru ( gejt M1, drain 1M ). Nepolarizované kondenzátory umožňují pouhým otočením napájení používat přípravek i pro měření transistorů s p-kanálem.
Postup měření :
Zasuňte do soklíku měřený transistor a do obvodu drainu připojte osciloskop. Vstupní napětí nastavte asi na 15 mV. Pak nastavte předpětí tak, až se na výstupu objeví sinusovka. Tato nebude moc ideální, obě půlperiody nebudou identické ( důležitá je proto i velikost vstupního střídavého napětí - bude-li toto příliš malé a sinusovka bude příliš dokonalá, pak to nebude správné, důvod poznáte hned v zápětí : Teď přistoupíte k tomu nejdůležitějšímu, tj. nalezení druhého identického transistoru. Postupným zasouváním dalších transistorů posléze naleznete takový, který bude mít identickou sinusovku, tj. to jste právě chtěli. Takto lze postupně nalézt identické transistory, takže odpad je skoro nulový nebo respektivě minimální.
Identický postup je i s opačnou polaritou ( po prohození napájení ). Jediný rozdíl je potřeba poněkud většího signálu, protože p-transistory mají menší strmost ( tj. zesílení ). Taktéž pracovní bod leží výše ( v absolutní hodnotě předpětí ).
Doufám že jsem vše popsal dostatečně " polopaticky " a se nevykytnou problémy. Osobně považuju vertikální mosy za ideální vstupní transistory, jimž se nic z konkurence v ohledu přirozenosti zvuku nevyrovná, neboť jsou mimořádně imunní v ohledu vf rušení ( stejně jako elektronky ), což jsem nezjistil jen já, ale i " guru " Nelson Pass - to kdyby někdo chtěl pochybovat....