No fajn, snad jste uz trochu zmenil nazor:
Není jediný prvek navíc a jediný prvek nechybí, pokud má někdo takový pocit tak vůbec nepochopil funkci, dimenzovaný je i pro trvalý, sinusový výkon ...
Co se tyce diskuze na elwebu, tak pokud vim odkazy na soubeznou diskuzi a zpet davate jen VY ?
Ano zdravy rozum zustava stat, konstruktivni diskuze vypada asi nejak takto:
elweb:
Mě zesilovač pana F funguje bez problémů.Znám pana Federmana studuju na škole kde vyučuje a Pan Federman toho dokázal víc než vy všeci ignoranti dohromady. Máte v hlavě kupu hoven zalitou chcankama žadné náznaky fyzikálních zákonů a zákonů elektrotechniky.
Zkrátím to vy ignoranti si nablujte do prdele a běžte do piči.
Dále doporučuji panu Federmannovi aby se teto diskuze dale neučastnil jelikož sou tu same ignoranti.
Co k tomu rict, snad jen ze do webove diskuze nikdo nikoho nezval, a samozrejme si tu muze kazdy obhajovat svoje nazory, zvlaste pokud jsou nejak napadany.
Stejne bych byl rad, kdybyste nesiril dale demagogie typu:
T8 má zesílení řádově daleko přes 10 000 (aktivní zátěž T4)
mysleno tim zrejme napetove zesileni, jak ze souvislosti vyplyva.
O teoreticky dosazitelnem napetovem zesileni na jednom SE stupni vypoctenem z H parametru jsem Vas jiz na elwebu poucil, snazte se laskave ziskat tyto parametry a upravte laskave svoje tvrzeni na spravnou miru, Vami uvadena hodnota me pripada demagogicky zavadejici. Neni to sice podstatne, ale z me, asi 40-lete praxe s obvody z diskretnich polovodicu se tato hodnota pohybuje v rozsahu cirka 500-5k. Pokud jste k takove zavadejici hodnote prisel v nejake simulaci, tak je mozne, ze prislusne modely nejsou v tomto smeru zcela korektni. V dusledku to vyjadruje predevsim parametr Early napeti, nelinearity teto zavislosti jsou v GumelPoon modelu tranzistoru jaksi odbyty.
K prostudovani doporucuji vysvetlujici materialy kamarda Franty Šisky:
http://eesof.tm.agilent.com/docs/iccap2 … P_DOCU.pdf