ACTK600W mosfet

[Matan]

Ahoj, našel sem při brouzdání po netu tohle http://hobbyelectronicsdri.blogspot.cz/2...osfet.html zajímaly by mě názory na to zapojení, jestli už to tady třeba někdo někdy stavěl, nebo v tom někdo vidí ňákou botu, jestli to má šanci spolehlivě a slušně hrát atd.. díky za reakce

[microlan]

Vypadá to zajímavě, jen si teď v hlavě úplně nepromítnu jak to bude držet kliďák a offset, chtělo by to dát do simulátoru

[Mates]

Něco podobnýho jsem kdysi stavěl s jedním párem fetů, funguje to hezky, jen do určitý velikosti vstupní kapacity těch fetů, pak začne vycházet příliš monstrózní buzení a není to schopný stabilně fungovat. Osobně bych se s touhle topologií nesnažil jít přes 100 W / 4 ohm. Největší problém u toho je odbuzování fetů a nestejné zapojení půlek druhého diff.

[nalimko33]

tu sú všetky Quasiho projekty
https://sites.google.com/site/quasisdiyaudiosite/home

[danhard]

Mládežníci,myslím že je to všechno humus

[danhard]

Největší problém u toho je odbuzování fetů a nestejné zapojení půlek druhého diff.

Ono by se na první pohled řeklo, že tam není žádnej velkej problém, odbuzuje se to klidovým proudem toho "VAS", nabuzuje maximálně dvojnásobným.
Ale při nějakém napájení se vybudí koncák na poměrně malé napětí, při které se zpětnovazební kapacita několikanásobně zvětší, zatímco protilehlý MOSFET je na vysokém Uds napětí a kapacity podstatně menší.
Když se to budu snažit stejnou diferencí proudu odbudit, tak jdou konce do sebe.
Je to pak jen věc frekvence, kdy ten konec půjde do příčného proudu.

[Matan]

ok tak díky za reakce, je ňáká šance doma v rámci hobby nadšení tyhle nedostatky vychytat a postavit z toho něco jakžtakž spolehlivýho nebo to je od zakladu o ničem a vůbec nemá cenu to řešit?

[Honza63]

Ne, nemá. Stavěl jsem to kdysi v umravněné podobě, je to autodafé konců. Dej na danharda, rozumí tomu. Vždycky to shoří. Vždycky.

[Mates]

Trochu bych to rozporoval, dá se to celkem hezky vymazlit, některé vlastnosti to mám velmi dobré. Do omezeného výkonu to umí fungovat spolehlivě, nemluvím však o konkrétním zapojení, pouze o topologii.
https://www.audioweb.cz/showthread.php?tid=6966

[reeb]

Ověřené MOSFETáky máš třeba DPA380 nebo 386, tohoto bych se bál.. (jak píše Vašek)

[Matan]

supr, sem rád že se tady ty reakce a možnosti trochu namnožily, kdysi dávno sem zkoušel nějakej mosfet.. bylo to takový to nejlehčí samozápalný zapojení s IRF540, 640, dokonce to i hrálo, ale oživit se to nepovedlo kliďák tomu držel jen jak sám chtěl, jakmile sem tam něco pustil tak už nechtěl, konce se přošlahly a reprak mi vyplivl membránu.. takže sem usilí směroval na LMka a hlavně variace leachů, teď sem se rozhodl zkusit s novejma zkušenostma mosfet a uvedeny schéma sem vybral hlavně protože se mi nahromadilo pár těch 460tek

[kazzatel]

Postav si ten Liškův ( zapojení dle aplikačního manuálu Siemens ), to chodí slušně, když už chceš zužitkovat ty mosy...

[Matan]

bohužel uvedený zapojení se mi nepodařilo najít.. rád bych nato ale kouknul, má to nějaký označení? nebo nemáte někdo rovnou odkaz? diky

[kazzatel]

Bylo to otištěný v Liškově AudioAmatéru, někdo ho tady určitě bude mít, ale já bohužel ne...

[reeb]

VMOS60

http://www.ebastlirna.cz/modules.php?nam...ic&t=24603

https://www.audioweb.cz/showthread.php?tid=6966

Mdyby neco tak koncaky KUN10 mam...

[Matan]

wow tak to bylo rychlý díky

[jmd]

Největší problém u toho je odbuzování fetů a nestejné zapojení půlek druhého diff.

Ono by se na první pohled řeklo, že tam není žádnej velkej problém, odbuzuje se to klidovým proudem toho "VAS", nabuzuje maximálně dvojnásobným.
Ale při nějakém napájení se vybudí koncák na poměrně malé napětí, při které se zpětnovazební kapacita několikanásobně zvětší, zatímco protilehlý MOSFET je na vysokém Uds napětí a kapacity podstatně menší.
Když se to budu snažit stejnou diferencí proudu odbudit, tak jdou konce do sebe.
Je to pak jen věc frekvence, kdy ten konec půjde do příčného proudu.

Danhard prosim ta, pomohlo by tomu a prípadne aj prakticky by to vyriešilo uvedený problém odbudzovania, keby sa toto zapojenie doplnilo dalsim stupnom, budicom koncovych tranzistorov? Takato uprava by nemusela byt narocna, akurat by ju bolo potrebne vyskusat a odladit stabilitu + tepelne spravanie.
Problem s odbudzovanim koncovych tranzistorov je snad v kazdom zapojeni. Cim blizsie k saturacii, tym viac problemov a to pri MOS aj BJT. Pri klasickom viac stupnovom konci s EF sa pouziva paralelna kombinacia RC na priecnom odpore medzi bazami budenych tranzistorov. Prosim ta mas nejaky dobry napad ako este inak tieto problemy riesit? Vyhnut sa saturacii je malo efektivny sposob riesenia a moc HighEnd pristup ;-)