JJ o 1V, to je marginálie ,naprosto nerozpoznatelné U BJT by bylo třeba udělat více opatření pro zajištění stability,zhoršilo by se asi i THD na dolním konci pásma, což DHman jak psal a já pochopil že dělat nechce Pro zajímavost jsem porovnal konkrétní toshiby s irf reálně kusy co mám doma a rozdíl je u N 1,85V vs 2,45V a u P 1,6V vs 2,1V mezi náhodně vybranými kusy (grade Y) co mám doma v pytlíku, což je 0,5-0,6V. Uvedenou náhradu jsem dělal ve dvou případech a vše fungovalo identicky,pouze v jednom případě jsem nahradil odpor v obvodu předpětí aby šel nastavit klidový proud zhruba uprostřed rozsahu. Toshiby J313 a K2013 se dělají ve dvou grade O a Y. A Vgs mají v rozsahu 0,8-3V A IRF 2,0-4V. Takže se vcelku překrývají.
Myslím si že nadálku obecně radit nahrazovat Mos-fety BJT není skutečně pro člověka bez plného vybavení a zkušeností s takovou náhradou v praxi vůbec dobrá rada.Dává to smysl jen jako nouzové řešení při uplné nedostupnosti jakékoliv fet komplementární náhrady,neb vliv zde nebude jen v otvíracím napětí ale jak psal výše v daleko více věcech Ty fety jsou navíc volně takže jejich tepelná závislost nehraje roli protože se ohřejí a nadále do toho nekecaj.
Zajímavý je rovněž řešení vyšších modelů téže řady 5 a 7ES. kde je doplněná jednoduchá mosfet SOA ochrana,vylepšený bias a jiný frontend. člověk by očkekával jako posun spíše dva páry koncáků,než drtit ty nebohé Toshiby na krev. právě tu pětku jsem myslím nahrazoval co si pamatuju matně a viděl jsem u kolegy i náhradu dnes nedostupných konců vybíranýma IRFP-čkama.
TA-FA3ES (Mosfet Budiče)
Pokud bych to chtěl překopat na bjt, tak existuje jednoduchá možnost to rovnou předělat jednoduše když už tak na funkční varianty téhož od stejného výrobce jako je např u TA-F561(661)R (TA-FE700-900R) kde je to takto řešené a funkční ale není to pak už ES a bude to hrát jinak.
TA-F910R (BJT Budiče)
Není co dodávat...