Vlákna: 1
Příspěvky: 1 572
Registrace: 2009
Bydliště: Praha 9
18. 11. 2015, 20:34
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 20:48 | zuki)
Na 700kHz je to dost slušný... Kdysi (tak 1987) jsem udělal s fetama rychlej zesík na 50R s výstupem +-150Vp (300Vpp) s rychlostí přeběhu 400V/us... Tam to vypadalo podobně, ale na trochu větším výstupním napětí
Co tam máš za konce? Na obr. (sch) to není vidět.
Já mám doma třeba "rychlíky" 170MHz 250V 450W fety... Tam by příčný proud při 700kHz asi moc netekl
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
18. 11. 2015, 20:50
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 20:55 | danhard)
Kdyby jsi je budil i odbuzoval 1A tak asi ne.
Tady se ale 2 páry konců odbuzují přes 100R. Příčnej proud tam teče asi 13mA.
Vlákna: 1
Příspěvky: 1 572
Registrace: 2009
Bydliště: Praha 9
18. 11. 2015, 20:56
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 21:12 | zuki)
Ty mé FETy (ST na VK až VKV aplikace, Push Pull,... - for use in 100 V DC large signal applications up to 250 MHz ) mají pod 600pF(typ 490pF) na vstupu... 5pF/GD. Takže s 100R časovka 60ns...
Před báze Q22 a Q23 dej nějaký sériový odpor. Cca 10-82R... uvidíš na simulaci. Spíš moc toho při správné volbě neuvidíš  Když na DPS nejsou, špatně se tam pak bastlí...
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
18. 11. 2015, 21:02
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 21:05 | danhard)
Co to je za typ? 100R si tam nemůžeš dovolit ani náhodou, to by hned točilo.
A nezajímá tě vstupní kapacita , ale Cdg, ta integruje výstupní rychlost.
Vlákna: 15
Příspěvky: 409
Registrace: 2007
Jméno: Vlastik
Bydliště: Zlínský kraj
Není to plný rozkmit, to už by šly koncáky zbytečně do velkého příčného proudu, jak se i zmiňoval danhard. Nicméně, když to porovnám s mou původní LVA202 tak je to citelný rozdíl a to mám za to, že je rychlá, takže připomínku, že bych chtěl ještě strmější hrany beru zpět 
S MOSFETy by to bylo nejspíše ještě lepší, hlavně pro tu tvou aplikaci 
Jinak, momentálně je to odsimulované na MJL3281/1302 a to s budičem BD139/140.
V reálu tam budou dosti pravděpodobně ty samé koncáky.
Když se vrátím k tomu diferáku, je možná prapodivně a netradičně řešený, ale alespoň dle simulace pracuje velmi dobře, uvidí se pak na testovací prototypové desce.
Jinak už mě asi zlepšení k diferáku a VAS nenapadá, takže teď se asi pokusím sestavit co pokud možno nejlepší proudové zdroje pro diferáky (teplotní stabilizace, nejmenší vliv na kolísání napětí).
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
18. 11. 2015, 21:08
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 21:15 | danhard)
No a podle simulace vidíš co ? odsimuloval si ten samotnej stupeň ? když tam dáš samotnej differák stejně degenerovanej, tak je to nějak podstatně jiný ?
Co se týče rozkmitu a limitací, tak je to právě zajímavé při plných apmplitudách, protože kapacity polovodičů jsou nelineární a třeba u MOSFETů se hodně zvětší, když jde tranzistor do limitace. Odtamtud se taky díky tomu pomaleji odbudí a zavře.
Vlákna: 1
Příspěvky: 1 572
Registrace: 2009
Bydliště: Praha 9
Vasi (Rs do bází), Danhard viz můj výše.
Vlákna: 129
Příspěvky: 4 638
Registrace: 2007
Jméno: Oto
Bydliště: Revúca
Vasi, v multisime sa dá urobiť FFT a simulovať zosilňovače? To som ten program podcenil. Radšej som to skúšal v LT spice...
Vlákna: 15
Příspěvky: 409
Registrace: 2007
Jméno: Vlastik
Bydliště: Zlínský kraj
18. 11. 2015, 21:36
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 21:41 | Vasi)
danharde, zkoušel jsem samotný klasický diferák degradovaný 100R, 220R, 330R a stále je to horší....
zuki, odpory do bází Q22, Q23 jsem dodal, zároveň i bázové odpory do koncáků, nicméně na fourierovce je to beze změny, což mě přivádí na myšlenku, jestli bych neměl začít simulovat v něčem jiném  Ale zase na druhou stranu, většinou co jsem odsimuloval, fungovalo v reálu dosti podobně....
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
Zuki, takový FETy jsou dost drahý, od 100€ výše a dělají se jen v N polaritě. To si nech do vysílačky
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
Vasi, neříkal jsem Ti, aby jsi to více degradoval, to klesá celkové zesílení, ale aby jsi to degradoval stejně, to je 82R do emitorů a 5mA proud. Pak to bude mít stejnej přenos.
Vlákna: 15
Příspěvky: 409
Registrace: 2007
Jméno: Vlastik
Bydliště: Zlínský kraj
To mi potom vychází takto.... Není v tom nijak velký rozdíl, ale chová se to jinak.
http://www.levex.wz.cz/LVA203_smp.png
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
Vylezla trochu druhá harmonická, jelikož je to symetrickej problém (počítám, že jsi upravil obě polarity), to by nemělo být.
Na 1kHz stejně prd vidíš, protože se nevyužívá vstupní rozkmit. Ten je při 1kHz a plnej výstup kolik ?
Na 10kHz je vidět vliv vstupu líp, i když tě na zvuku nezajímá. A zase, jakej je rozkmit na vstupu, mezi bázemi ?
Jinak "linearizace" pro 100mV rozkmit tady vychází na 4mA vstupní pár a 51R emitoráky, vnitřní buzenej pár na 1mA a 115R emitoráky a výstupy z vnitřního páru křížem.
Vlákna: 1
Příspěvky: 1 572
Registrace: 2009
Bydliště: Praha 9
18. 11. 2015, 22:51
(poslední úprava: 18. 11. 2015, 22:52 | zuki)
Vasi napsal:zuki, odpory do bází Q22, Q23 jsem dodal, zároveň i bázové odpory do koncáků, nicméně na fourierovce je to beze změny, což mě přivádí na myšlenku, jestli bych neměl začít simulovat v něčem jiném Ale zase na druhou stranu, většinou co jsem odsimuloval, fungovalo v reálu dosti podobně....
To buď rád... Zažil jsem případ, když absolvent VŠ nasimuloval 3MHz koncák s FETy pro ultrazvuk a chodilo to (spíš nechodilo) úplně jinak...
Ty odpory mají často i jiné funkce, např. v limitaci omezení proudu do bází (nebo budiči) a taktéž i "VF" stabilitu jednotlivých tranzistorů...Což je občas vidět na frekvenční charakteristice mezi 1-10MHz (i výše, takové ty malé, "nepodstatné vrcholy" utopené řadu desítek dB (v lepším případě) pod NF přenosem...
Vlákna: 15
Příspěvky: 409
Registrace: 2007
Jméno: Vlastik
Bydliště: Zlínský kraj
Maličko odbočím, přemýšlím, že bych vstupní část zesilovače, tzn. po VAS udělal jako takový modul třeba s dvěma kolíkovými lištami, který by se pak vložil do desky zesilovače. Ano vím, asi to na oko nebude vypadat tak dobře, jak kdyby to bylo přímo součástí desky, ale zase by to mělo výhodu tu, že v případě potřeby lze udělat modul jiný a jednoduše vyměnit (třeba nějaký nápad na vylepšení do budoucna). Zbytek zesilovače (VAS a koncáky) většinou stejně zůstává stejný.
Vlákna: 6
Příspěvky: 584
Registrace: 2009
21. 11. 2015, 0:04
(poslední úprava: 21. 11. 2015, 0:04 | jmd)
Vasi napsal:Zbytek zesilovače (VAS a koncáky) většinou stejně zůstává stejný. nápad to nie je zlý, ale pravdepodobne si mal na mysli až ďalší stupeň za VAS, t.j. buď predbudič v 3xES alebo budič a koncový tranzistor v 2xES. VAS by mal zostať na prvej vstupnej doske. Inak by bol zbytočne rozťahaný, čo nie je dobrý nápad. +VAS si zaslúži viac pozornosti a tiež občasný upgrade.
Vlákna: 2
Příspěvky: 366
Registrace: 2010
Vlákna: 15
Příspěvky: 409
Registrace: 2007
Jméno: Vlastik
Bydliště: Zlínský kraj
21. 11. 2015, 11:28
(poslední úprava: 21. 11. 2015, 11:31 | Vasi)
Myslel jsem opravdu jen po VAS, protože tranzistory ve VAS bych chtěl mít na hlavním chladiči. A kdybych náhodou chtěl jako změnu VAS dodat další tranzistory, tak už by to nebylo lehce řešitelné, aby opět byly na chladiči. Větší změna v zapojení už by byla muset být řešena změnou hlavní desky a tu nepředpokládám, alespoň ne v blízké budoucnosti 
Roztahaný to si myslím nebude, protože modul by mohl být osazený v podstatě hned nad tranzistory ve VAS. (jen připomínám, většina bude SMD).
Vlákna: 10
Příspěvky: 4 435
Registrace: 2007
A už jsi si zkusil ten osamostatněnej vstup a kde se pohybuje vybuzení při 1k a 10k ?
Dost často se to všechno oblepuje různými vylepšeními naprosto zbytečně, aniž by se vylepšily ty základní věci.
VAS nemá s teplotou konce nic společného a společné chlazení nic nepřináší.
Vlákna: 6
Příspěvky: 584
Registrace: 2009
Medzi diferákom a VAS by nemali byť dlhé cesty + to čo ti danhard napísal o teplotnom zviazaní.
jmd napsal:VAS by mal zostať na prvej vstupnej doske. Inak by bol zbytočne rozťahaný, čo nie je dobrý nápad. +VAS si zaslúži viac pozornosti a tiež občasný upgrade.
|