![]() |
|
THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - Printable Version +- Audioweb.cz (https://www.audioweb.cz) +-- Forum: Od zdroje po bedny (https://www.audioweb.cz/forumdisplay.php?fid=5) +--- Forum: Zesilovače, receivery (https://www.audioweb.cz/forumdisplay.php?fid=7) +--- Thread: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie (/showthread.php?tid=22459) |
THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - danhard - 10. 12. 2017 mechanik napsal:danhard, Vbe pri danom Ice. Jj, o to napätie zdroja nejde... Každopadne by som bol vdačnejší napríklad za nejaku užitočnú radu. Než hladanie zle napísaných vecí a rýpaní v tom.Ale to už jsem tu dával odkazy, jaký je rozdíl ve vlastním zkreslení konce při 2EF a 3EF. U bipolárů záleží na proudovém zesílení, ne na Ube. Kdyby jsi to nastudoval, tak by jsi sem nedával kraviny. Zrovnatak laco, jenom hovado by dalo větší Re do P větve a taky je to na tom grafu zesílení vidět, že je to blbě. Prostě tu něco matláte a nevíte co děláte. THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - mechanik - 10. 12. 2017 Je to prvý krát čo vôbec nejake tranzistory meriam. Normálne si priznám že toho dosť neviem. Takže sa nemáme o čom hádať :-) Tiež to pravdepodobne nebola posledná "kravina" čo sem napíšem. Asi niesom jediný čo by to pároval zle, toto je článok od PD z AR: ![]() EDIT: No keď na to idem selským rozumom tak sa jedná o emitorový sledovač, napájanie Vce, zátaž v emitore, napätie na zátaži sa mení v závislosti od hodnoty Vbe. Prúd je daný vztahom medzi napätím na výstupe a odporom zátaže. Logicky teda najlepší spôsob k párovaniu by mal byť napätie odpovedajúce napätiu koncáku vo Vce, cca 4R zátaž v emitore a napätová zmena na Vbe. Potom už len merať napätia na výstupe na 4R zátaži, odpovedajúce reálnym napätiam pri prevádzkde v zosilňovači. Idealne to všetko robiť pri nejakej teplote ktorá bude odpovedať reálnej prevádzke. Tak nad tým trochu uvažujem a THD bipolarov môže byť dosť nekonzistentné keďže ich vlastnosti sa dosť menia s teplotou, na rozdiel od mosfetov. Potom sa môže stať že aj keď sú perfektne komplementárne pre 25°C tak s teplotou sa to môže rôznym spôsobom rozhodiť. To ešte pre rôzne prúdy rôzne... Podla charakteristík Ic/Vbe konkretnych typov. Ale dosť zosilňovačov, BVA, CW, SPA má THD 0,000x% normálne, pochybujem že sa mení s teplotou. Čím to je že im to beží tak dobre? :-D Majú oproti zapojeniu hore tak velkú rezervu medzi CLG a OLG? Zisk a NFB je asi jediný spôsob ako to THD udržať nízke. Sú moje úvahy dobré? :-D THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - danhard - 10. 12. 2017 Nevím kde ty kraviny bereš, ale ty budíš koncové tranzistory z elektrárny ? V tom příspěvku jde o párování koncových tranzistorů při paralelním řazení a to u bipolárů nemá v podstatě význam, když tam dáš vyrovnávací emitorové odpory. A taky jde o to, aby byly tranzistory stejně chlazeny. THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - mechanik - 10. 12. 2017 Čo z toho čo píšem je kravina? a ako je to správne? THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - laco - 10. 12. 2017 danhard napsal:laco napsal:alebo uz optimalizovaneOptimalizované je to na hovno, jelikož bipolární koncáky nebudíš z elektrárny viem o co ti ide, je to zjednodusene; aj tak vidno, ze irfp ma cca 6x mensi gm za danych podmienok THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - danhard - 10. 12. 2017 No a co je tam optimalizované ? N větev má zjevně větší strmost a ty dáš větší Re do P větve ? THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - laco - 10. 12. 2017 danhard napsal:No a co je tam optimalizované ? N větev má zjevně větší strmost a ty dáš větší Re do P větve ? P channel irfp9240 ma vacsi gm THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - danhard - 10. 12. 2017 Asi ne, podle výsledku té simulace. THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie - mechanik - 10. 12. 2017 laco nikde nepísal že sa to tak má robiť, skôr som to chápal ako simuláciu pre zaujímavosť. Skôr by ma zaujímalo ktorý z tých odstavcov hore čo píšem je kravina a nejake vysvetlenie, prosím :-) |