Tie robustné MJE1503x a BD som zvolil pre prvé priblíženie. V reálnom zosilňovači sú staré exotické japonské tranzistory, ktorým som našiel zhruba takéto náhrady, ktoré som použil teraz v novej schéme do simulácie v MC:
Pôvodné koncové tranzistory 2SA1386 Sanken,
pre simuláciu v MC som použil MJL1302C ON SEMICONDUCTOR.
Pôvodné koncové tranzistory 2SC3519 Sanken,
pre simuláciu v MC som použil MJL3281C ON SEMICONDUCTOR.
Pôvodné budiče 2SA1111 Mitsubishi Electric Semiconductor alebo ich odporúčaná náhrada 2SA1306 Toshiba,
pre simuláciu v MC som použil KSA1220AYS ON SEMICONDUCTOR.
Pôvodné budiče 2SC2591 Mitsubishi Electric Semiconductor alebo ich odporúčaná náhrada 2SC3298 Toshiba,
pre simuláciu v MC som použil KSC2690AYS ON SEMICONDUCTOR.
Pôvodné predbudiče a VAS tranzistory 2SA1145 Toshiba,
pre simuláciu v MC som použil KSA1381ESTU ON SEMICONDUCTOR.
Pôvodné predbudiče a VAS tranzistory 2SC2705 Toshiba,
pre simuláciu v MC som použil KSC3503DS ON SEMICONDUCTOR.
Keď však prehodnotím pôvodné staré zapojenie, tak sa mi to skomplikuje a nedostáva sa očakávaného efektu.
S pôvodným starým zapojením, R42, C19 aj C24 osadené na pôvodnom mieste predbudiča, bez použitia priečnych kondenzátorov v bázach jednak budiča ale aj koncových tranzistorov.
Akonáhle odstránim alebo premiestnim kompenzáciu na budič, tak sa to v simulácii rozkmitáva na prechodových stavoch.
Keď odstránim R42, C19 a C24, tak je to docela slušné bez zákmitov. Ešte je to v poriadku, keď vložím 100nF do báze budiča ale nič to nezlepší. Avšak akonáhle vložím ešte 100n-10uF do báze koncových tranzistorov, tak vzniknú nepekné viacnásobné prekmity pri prechodových stavoch.