Jít do obsahu fóra

Nejsi přihlášen. Přihlas se nebo se zaregistruj.


(Stránka 1 z 6)

Audioweb.cz » Zesilovače, receivery » Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

  Stránky: 1 2 3 ... 6 »»»

RSS

Příspěvky [1 až 20 z 102]

(upravil samponek 19. 6. 2015 10:46)

Téma: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Dva zesilovače lze běžným způsobem zapojit do můstku, červená dioda v sérii se shottky diodou ve zdroji konstantního proudu druhého diferenciálního zesilovače složí ke stabilizaci klidového proudu a je společně na chladiči s dvojitým IGBT tranzistorem BSM200GB120, lze použít i jiné bloky Infineon nebo Mitsubishi.

Pro menší výkon tam bipolární tranzistory v serii s IGBT  být nemusí, operační zesilovač na vstupu tam být taky nemusí a IGBT jsou zapojeny do polovičního můstku.

Všechny NPN tranzistory jsou 2 SD 1138. Všechny PNP tranzistory jsou 2 SB 861, odpory 0.5 W, všechny LED ve zdrojích konstantních proudů jsou červené, trimr 10 ohm je cermet a nastavuje se jím klidový proud na 50 mA, nebo napětí na řídících elektrodách Ug = 6.14 V.

Shottky dioda společně se svítivou diodou horního zdroje konstantního proudu je umístěna na společném chladiči s IGBT a zajišťuje stabilizaci klidového proudu s teplotou.
Transformátor na vstupu má převod 1 : 1 , je malý plechový z modemu, ohmický odpor vinutí je 150 omh, kondenzátor 4,7 mikro je typ WMA.
Tranzistor T3 má malý chladič, tranzistory druhého dif stupně mají společný chladič, ale oddělený od chladiče koncových tranzistorů.
Tranzistory prvního dif stupně jsou sešroubované k sobě přes izolační podložku, trimrem v emitorech se nastavuje nulové výstupní napětí.
Tranzistor T4 má taky malý chladič.

Místo IGBT bloku lze použít i mosfety, ale musí se odpor 18 ohm ve zdroji konst proudu druhého dif zesilovače zvětšit na 33 ohm a nastavit na řídících elektrodách Ug = 3.64 V.

Bipolární MPN tranzistory v serii s IGBT mohou být jakékoli s parametry 160 V 150 W  po deseti paralelně, pro menší výkony do 500 W  tam být nemusí , vyzkoušel jsem i staré spínací Tesly KUX 41 N,  funguje to se všemi, včetně vybraných KD 503, KUY 12.

Napájení je spínaný zdroj 2 x 22V až 2 x 110V / 23 A,  u můstku nemusí mít zdroj střed, umělá nula se vytvoří odpory a střed zapojí na bázi prvního dif zesilovače, potom lze využít jakýkoli ss zdroj, nebo zdroje v serii od 40 V do 225 V s proudem podle požadovaného výkonu. Zapojení spínaného zdroje sem dám

Já mám zapojených 10 kusů synchronizovaných spínaných zdrojů 22 V / 23 A v serii a v závislosti na výstupním napětí zesilovače se zdroje aktivují a mění se napájecí napětí v rozsahu od 44 V do 225 V.
V můstku s 96 pomocnými tranzistory s plným napětím zdroje 225 V ss je na 4 ohmové zátěži 2800 W.

Zesilovač funguje na první zapojení, před uvedením do provozu stačí nastavit klidový proud, nebo napětí  Ug na 6.14 V

Zdroj mění svoje napětí v závislosti na výstupním napětí zesilovače, je zhotoven z deseti upravených PC zdojů, kde jsou zdvojeny usměrňovací diody, spínací tranzistory i transformátory, doplněn obvod zkratové ochrany s použitím nevyužitého komparátoru v řídícím obvodu zdroje TL 494, zdroje jsou synchronizovány, aby pracovaly ve fázi a neprojevilo se případné rušení.

Zpětnou vazbou do zdrojů zapojení hlídá, jestli je na výstupu zátěž, při zkratu výstupu dostanou zdroje přes komparátor signál a sníží se jejich napětí na nulu, tento stav trvá a po odpojení zkratu znovu nasadí.

Když tam dáte zdroj s neproměnným napětím, mohou se ze zapojení vypustit pomocné zdroje konstantních proudů z T3 a taky pomocný zdroj konstantního proudu pro napájení reference zdroje konst proudu pro první dif zesilovač.

Odpor 3k9 je MLT 4 W a slouží na rozdělení ztráty na T3 přibližně v poměru 1 : 1

Pokud váš zdroj bude mít střed, zdroje konst proudů mohou mít protipól na středu, sníží se ztráty na tranzistoru T3 a nebude potřebovat křidélko.

Referenční diodou u druhého dif stupně musí téct 5 mA a PNP tranzistory musí mít h21E 100

Můj zdroj střed nemá, proto jsou zdroje konst proudů zapojeny na celé napájecí napětí.
umělou nulu tvoří dělič z odporů 10 k MLT 4 W zapojený na bázi tranzistoru prvního dif zesilovače přes vstupní odpor 22 k.

Děličem 1 k, 1k2 a 2k2 na výstupu je nastavena čtvrtina napájecího napětí na každém tranzistoru
225 V : 4 = 56 V

Do zpětné vazby zesilovače lze zapojit kmitočtově závislý RC člen.
Invertující vstup prvního dif zesilovače se od něj oddělí paralelní kombinací odporu 18 k a kondenzátoru 470 n, tím je invertující vstup imunní vůči jakémukoli rušení nad 300 Hz a mohou z něho vést dlouhé dráty na korekční obvod.
Kondenzátor 4p7 tam být nemusí, zapojení je stabilizováno lokálně na druhém dif zesilovači.
Odpory před řídícími elektrodami mohou být v rozsahu 47 až 150 ohm.

Odpory 220 ohm mezi řídícími elektrodami a emitory IGBT jsou velmi důležité a musí být ty zelené, stačí 0.5 W - 1 W , je na nich 6.14 V

Na jejich přesné velikosti nezáleží, ale musí být teplotně stabilní, mohou být v rozsahu 180 až 330 ohm.

Tranzistory prvního dif stupně se musí vybrat se stejným h21E, totéž platí pro druhý PNP dif zesilovač, kde musejí mít h21E alespoň 100

Shodnost Ugs IGBT je zaručena blokem, kde jsou dva už zapojené v polovičním můstku.

Když se použijí dva oddělené mosfety, musí se vybrat se stejnou strmostí.

Jemný DC ofset jde doladit trimrem 100 ohm na velikost +- 0.1 mV.

keramické kondenzátory u druhého dif stupně jsou přímo na nožičkách B-C

Zapojení je mírně překompenzované a při zatížení a zahřátí nad 85 °C se IGBT tranzistory zcela uzavřou, tento stav trvá, dokud teplota chladiče opět neklesne.

Napájení je spínaný zdroj 40 až 225V, tvoří ho deset upravených, vzájemně synchronizovaných PC zdrojů , jeden zdroj má 22V, v každém jsou zdvojeny transformátory a tranzistory.

Omlouvám se za škaredě nakreslené schéma.

http://s8.postimg.cc/3r9f0akr5/IGBT_BSM200_GB120.jpg
Chladiče se 192 pomocnými tranzistory

http://s3.postimg.cc/ucnb20kan/Chladi_e_bipol_rn_ch_tranzistor_001.jpg

Zapojení zpětných vazeb u TL494 - proudová a zkratová ochrana
http://s13.postimg.cc/xytz5i2c3/zdroje_22_V_40_A_proudov_a_zkratov_ochrana.jpg
Zdroj 2x110V 5kW se zdvojenými trafy
http://s11.postimg.cc/vibkq94pr/001.jpg


IGBT BSM200GB120
http://s30.postimg.cc/845ufrab1/IGBT_tranzistor.jpg

Zdroj 22V s dvěma transformátory a zdvojenými tranzistory
http://s14.postimg.cc/3vd5ofelp/t_zdroj_22v_40a_502.jpg

Já mám zapojených 10 kusů synchronizovaných spínaných zdrojů 22 V / 23 A v serii a v závislosti na výstupním napětí zesilovače se zdroje aktivují a mění se napájecí napětí v rozsahu od 44 V do 225 V.
Zapojení zdroje http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na … mp;t=70043

Pokud to má být v autě, zapojení DC-DC měniče 12/ 150V je zde, transformátory a budiče se patřičně znásobí. http://www.ebastlirna.cz/modules.php?na … mp;t=70125

(upravil samponek 7. 10. 2015 15:22)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Když to úplně osekáš s nejmenším možným počtem součástek, dopadne to takhle
Když místo IGBT bloku použiješ mosfety, musíš odpor 18R zvětšit na 33R a trimrem nastavit napětí na Ug = 3.64V, protože IGBT mají Ug = 6V.

IGBT blok obsahuje dva tranzistory zapojené v polovičním můstku, proto má tři vývody, plus kolektor , výstup a mínus emitor, ty malé piny vpravo jsou řídící elektrody G1 a G2


Shottky dioda společně se svítivou diodou v sérii je na společném chladiči s IGBT blokem a zajišťuje stabilizaci klidového proudu v závislosti na teplotě.

NPN tranzistory jsou 2SD1138
PNP tranzistory jsou 2SB861

Tranzistory PNP v druhém dif zes mají společný chladič, ale oddělený od chladiče IGBT, tranzistor PNP nad ním má malé křidélko. Tranzistory NPN prvního dif stupně jsou sešroubované k sobě přes slídovou podložku a tranzistor NPN pod ním má taky malé křidélko.
Na levém tranzistoru v druhém dif je bez deseti voltů celé napájecí napětí, musí být na něj dimenzován, na ostatních je polovina.

http://s10.postimg.cc/4wuem8t7p/zesilova_s_IGBT.jpg http://s8.postimg.cc/b9w23twkx/zesilova_BSM200_GB120.jpg


Místo odporu, který napájí reference zdrojů konstantních proudů může být zapojen zdroj proudu 5mA

http://s2.postimg.cc/7ecik41t1/Zdroj_konstantn_ho_proudu_5m_A.jpg


Doplněk - zpětná vazba "Loudness"

http://s24.postimg.cc/5qh0m81i9/Loudness_pro_IGBT_zesilov.jpg

(upravil Dohnalik 21. 5. 2015 18:36)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

IGBT? Nic pomalejšího už neměli? IGBT patří do trakčníh pohonů, ne do zesilovačů. Dovedl bych si je představit maximálně na sub a to ještě spínaný.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Do zesilovače v lineárním režimu jsou dobré, naopak pro rychlé spínání jsou nevhodné.

Pokud použiješ mosfety a nebudeš mít ve zdroji zkratovou ochranu komparátorem, který porovnává výstupní napětí zesilovače se vstupním, můžeš do Sourců dát odpory 0.1 ohmu a NPN tranzistorem zapojeným kolektorem na řídící elektrodu a emitorem na Source přiškrcovat buzení mosfetů jako ochranu proti zkratu na výstupu.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

IGBT zapalovač.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Nový fčelař?

(upravil danhard 27. 5. 2015 12:15)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Je to v základu staré zapojení z aplikačního katalogu Siemens, nebo IR.

http://mujweb.cz/tjanuska/sejmout0003x.jpg

Zapojení má problémy jak s teplotní stabilitou, tak s rychlostí a dynamickým souběhem při buzení.
Buzení fetů je proudové (tady ze zdroje s Ri 3200R) což s nelineární vstupní kapacitou způsobuje, že při rychlejším buzení to jde do příčného proudu.

LED dioda se jako snímací prvek nehodí, protože má velký teplotní odpor pouzdra a vývody citlivé na mechanické namáhání a letování s krátkými vývody - akrylát je termoplast.
Přerušených LED diod jsem měnil za svoji praxi určitě kolem stovky a s dormálně dimenzovanými konci to má většinou fatální následky.

Jen se divím, že žádného z lepičů tohoto zapojení nenapadlo bootstrapové napájení buzení, aby si pomohli o těch 10V s vybuzením horního konce.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Pred 25 rokmi..

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Tady je ta teplotní stabilita vyjádřená hooodně dlouhou cestou smile
Ale nad ostatním se autor aspoň trochu zamyslel.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Tady je ta teplotní stabilita..

Koniec (bipoláry) čisté B, kľudový prúd len cez  Fet budiče asi 100-120mA (R b-e bipolárov 1R). Na chladiči bol jeden tranzistor z prúdového zdroja na vstupe. Dodnes ich funguje možno 200 - 300ks.

(upravil samponek 27. 5. 2015 19:55)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

LED mám červenou GaAs na malé destičce společně se Shottky na chladiči, teplotně to reguluje správně, tohle mám ve věži v můstku,  jedná se o to samé. Zdroj je spínaný proměnný 44 až 225V

http://s28.postimg.cc/lifm8zmih/Nf_zesilova_600_W.jpg

(upravil Hazys 27. 5. 2015 14:15)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Tvl další dobrej fór. Tohle do diferenčáku? http://pdf.datasheetcatalog.com/datashe … Xwuvvr.pdf lol

(a ještě prý 225V napájení)

Chlapče, přestaň už hulit, nedělá to dobře...

(upravil danhard 27. 5. 2015 16:10)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

BV
Aha, nevšiml jsem si těch 1R odporů. Pak to nemá chybu. Schema ještě nic neznamená, jde o pracovní body, aby to dělalo to co je v těch nápadech.
Co se týče buzení a mé poznámky, tak tady to není tak kritické, přeci jen budit IRF640 je trochu lepší než 1400W IGBT smile

samponek
Si dioda, GaAS LED i Shottky má zhruba stejný tepelný drift napětí, cca -2mV/C, není potřeba takových exotických kombinací.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Budit IRF640 nebo 2SK1544 je jiné, má 25 - 30x menší kapacitu řídící elektrody než IGBT blok

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

2SD1138
Tyhlety tranzistory z vertikálů a zvukových konců z vyššího napětí byly velmi dobře použitelné jako budiče konců.
10MHz 2A tranzistor je do vstupu poněkud nevhodný.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Je to kvůli celkovému úbytku 1.4V, aby mě to pasovalo a hlavně  2 x 2mV/K je důležitý pro  regulaci zdroje proudu.

(upravil danhard 27. 5. 2015 17:04)

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

samponek
Taky to píšu somponku, že budit ty IGBT odporvě, jak to máš ty, je oslovina:)

Celkový úbytek si pro ten zdroj proudu nastavíš snadno jinde. Mimochodem, ten tranzistor bez tepelné vazby má také -2mV/C, které se odečítají.
Red LED a Shottky nemají celkový úbytek 1,4V

Samponku, kdyby jsi v tom měl aspoň nějaký nápad.
Když jsem dělal zesilovače na emulaci světlovodné sítě, 3x2kW, tak bylo napájení +/- 450V a byla tam kaskóda 5-ti bipolárů v každé polaritě, ale do vyrovnávacích odporů se topilo jen jedenkrát.
A chodily do 70kHz power bandwidth.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

LED má 1.15 V a ta Shottky 0.2V, potřebuju tam těch 1.4V, jinak by mě nešel zdroj proudu, dvě LED v serii už je zase zbytečně moc = 2.3V

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Ale nepindej samponku RED led, kterou máš napsanou ve schematu při 5mA nemá 1,15V.
To tak možná 1,65V a to jen starý mrchy s nízkou účinností.
1,15V by měla tak IR - infra red.

Re: Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Omlouvám se, máš pravdu, je na ní asi 1.6V + těch 0.2 Shottky

Příspěvky [1 až 20 z 102]

  Stránky: 1 2 3 ... 6 »»»

Audioweb.cz » Zesilovače, receivery » Zesilovač s IGBT tranzistory 900W ve třídě H + spínaný zdroj

Podobná témata


~±«|»¼½¾²³&@µΩπØ$£