41

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

mechanik napsal:

danhard, Vbe pri danom Ice. Jj, o to napätie zdroja nejde... Každopadne by som bol vdačnejší napríklad za nejaku užitočnú radu. Než hladanie zle napísaných vecí a rýpaní v tom.

Ale to už jsem tu dával odkazy, jaký je rozdíl ve vlastním zkreslení konce při 2EF a 3EF.
U bipolárů záleží na proudovém zesílení, ne na Ube. Kdyby jsi to nastudoval, tak by jsi sem nedával kraviny.
Zrovnatak laco, jenom hovado by dalo větší Re do P větve a taky je to na tom grafu zesílení vidět, že je to blbě.
Prostě tu něco matláte a nevíte co děláte.

42 ...editoval mechanik (10. 12. 2017 18:54)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Je to prvý krát čo vôbec nejake tranzistory meriam. Normálne si priznám že toho dosť neviem. Takže sa nemáme o čom hádať smile Tiež to pravdepodobne nebola posledná "kravina" čo sem napíšem.

Asi niesom jediný čo by to pároval zle, toto je článok od PD z AR:

https://s17.postimg.cc/5gf7ntbhr/image.png


EDIT: No keď na to idem selským rozumom tak sa jedná o emitorový sledovač, napájanie Vce, zátaž v emitore, napätie na zátaži sa mení v závislosti od hodnoty Vbe. Prúd je daný vztahom medzi napätím na výstupe a odporom zátaže. Logicky teda najlepší spôsob k párovaniu by mal byť napätie odpovedajúce napätiu koncáku vo Vce, cca 4R zátaž v emitore a napätová zmena na Vbe. Potom už len merať napätia na výstupe na 4R zátaži, odpovedajúce reálnym napätiam pri prevádzkde v zosilňovači. Idealne to všetko robiť pri nejakej teplote ktorá bude odpovedať reálnej prevádzke.

Tak nad tým trochu uvažujem a THD bipolarov môže byť dosť nekonzistentné keďže ich vlastnosti sa dosť menia s teplotou, na rozdiel od mosfetov. Potom sa môže stať že aj keď sú perfektne komplementárne pre 25°C tak s teplotou sa to môže rôznym spôsobom rozhodiť. To ešte pre rôzne prúdy rôzne... Podla charakteristík Ic/Vbe konkretnych typov.

Ale dosť zosilňovačov, BVA, CW, SPA má THD 0,000x% normálne, pochybujem že sa mení s teplotou. Čím to je že im to beží tak dobre? big_smile Majú oproti zapojeniu hore tak velkú rezervu medzi CLG a OLG? Zisk a NFB je asi jediný spôsob ako to THD udržať nízke.

Sú moje úvahy dobré? big_smile

43

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Nevím kde ty kraviny bereš, ale ty budíš koncové tranzistory z elektrárny ?
V tom příspěvku jde o párování koncových tranzistorů při paralelním řazení a to u bipolárů nemá v podstatě význam, když tam dáš vyrovnávací emitorové odpory. A taky jde o to, aby byly tranzistory stejně chlazeny.

44 ...editoval mechanik (10. 12. 2017 20:33)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Čo z toho čo píšem je kravina? a ako je to správne?

45

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

danhard napsal:
laco napsal:

alebo uz optimalizovane

Optimalizované je to na hovno, jelikož bipolární koncáky nebudíš z elektrárny smile
Nevidíš tam proudové zatížení VAS. Ostatně to není vidět při vyšších frekvencích ani u FETů.

viem o co ti ide, je to zjednodusene; aj tak vidno, ze irfp ma cca 6x mensi gm za danych podmienok

46

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

No a co je tam optimalizované ? N větev má zjevně větší strmost a ty dáš větší Re do P větve ?

47

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

danhard napsal:

No a co je tam optimalizované ? N větev má zjevně větší strmost a ty dáš větší Re do P větve ?

P channel irfp9240 ma vacsi gm

48

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Asi ne, podle výsledku té simulace.

49

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

laco nikde nepísal že sa to tak má robiť, skôr som to chápal ako simuláciu pre zaujímavosť. Skôr by ma zaujímalo ktorý z tých odstavcov hore čo píšem je kravina a nejake vysvetlenie, prosím smile