21 ...editoval mechanik (3. 12. 2017 20:19)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

danhard, čo tým myslíš? V Ačku by to bolo pri 2W/4R pri prúde 0,5A takže v Ačku pri 0,127A nebežia.

Ačko 2W/4R:
2.8Vef x 2,8Vef/4R=1,96W
prúd pre A triedu v 2W/4R:
2.8Vef x 1,41=3,9Vp
3,9Vp/4R=0,975A/2=0,4875A (pri 1 páre, na 1 tranzistor)

Keď tak ma oprav, ja som ten vzorec nikde napísaný nevidel ale odvodil som si to podla logiky.

EDIT: tak ja idem skúsiť tie kompenzácie. Zase si "rozlúsknem" nejaku DIP paticu a naspájkujem si to tam a skúsim rôzne hodnoty a budem overovať na TEKu s generátorom s hranami 8nS. Predpokladám že stabilita s obdlžnikom sa meria pri "surovom" obvode bez vstupného filtra. Ja som to tak robil vždy a nie len ja... ale občas keď niečo čítam mám dojem že to niekto robí aj s filtrom čo je divné, ten to zamaskuje... Už ten sériový odpor vstupného filtra urobí dosť, zmierni hrany, hlavne keď je 2k, používam 470R... Generátor mám 8nS.

Sakra mna by zaujímalo ako všetky tieto javy meniace sa v čase prebiehajú, ako to vyzerá s kapacitami pri ich budení... Bohužial netuším ako je v LTspice voltmeter a ampermeter. Musím sa uspokojiť s tým čo zatial viem, obdlžnik, sinus, PSRR a nie velmi sediace THD...

22

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

pre bjt koncove tr plati, cim rychlejsie tym lepsie
btw, vertikalne mosfety maju ekvivalentny ft cca medzi 100-400MHz (cim vyssi prud tym vyssi ft)

23

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Řešit stabilitu zesíku s lowpassem na vstupu, to je vskutku na ...

24 ...editoval mechanik (3. 12. 2017 23:17)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Dík, konečne to niekde vidím jasne napísané, aj keď asi to nejde zovšeobecniť.

Zatial to vyzerá takto:


https://s18.postimg.cc/i8dtgofjd/TEK0000.png

(obdlžník 30kHz)


Na rozdiel od BJT to nešlo ani merať bez boucherotovho členu. Teraz už som ho pridal. Tak som ešte zvedavý na THD. Často to nejde ruka v ruke s obdlžníkom. Inak aj keď som tam mal dosť vysoké kompenzácie tak podla hrán je to asi o 1/3 rýchlejšie než 2SA1941/2SC5198. Ako C-B teda D-G kompenzáciu som dal 68pF NPO.

Každopadne keby to bežalo len s velmi "zatlčeným" predkom alebo samotným mosfetom tak to stráca zmysel. Pomalý zakompenzovaný VAS a NFB budú znieť horšie než keď sa použije na výstupe pomalší BJT tranzistor. Čo kde a ako znie, to mám vyskúšané... big_smile

EDIT: Hazys, to nerieši stabilitu ale zakryje problém a vylepší opticky priebeh. Ja meriam vždy bez.

EDIT2: hmm, keď to má pekný obdlžnik má to mizerné THD a na opak... Nerozumiem tomu.

25 ...editoval danhard (4. 12. 2017 11:31)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

mechanik napsal:

danhard, čo tým myslíš?

Nic, jen že se laterály stabilizují klidový proud s teplotou samy, mají při cca 100mA nulový teplotní koeficient Ugs.

26

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Mícháte tu dohromady stabilitu, limitaci přeběhové rychlosti a zkreslení.
Má to sice nějaké souvislosti, ale každá položka se dá celkem přesně z návrhu určit saamostatně smile

27 ...editoval laco (4. 12. 2017 12:28)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

mosfety hlavne preto maju vacsie skreslenie lebo ich transconductancia je mensia a nasledne ich napatove zosilnenie ma vacsiu nelinearitu (zapojenie EF)

28 ...editoval danhard (4. 12. 2017 13:21)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Ale zase to není tak prudká změna, takže oblast přechodu je širší a vznikají jiné produkty.
Laterály jsou "elektronkový" smile

29

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

asi takto

https://preview.ibb.co/fX4BLG/EF_bjt_vs_vmos_sch.png
https://preview.ibb.co/bF7WLG/EF_bjt_vs_vmos_gm.png
https://preview.ibb.co/cD0kfG/EF_bjt_vs_vmos_voltage_amplification.png

30

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

danhard napsal:

Mícháte tu dohromady stabilitu, limitaci přeběhové rychlosti a zkreslení.
Má to sice nějaké souvislosti, ale každá položka se dá celkem přesně z návrhu určit saamostatně smile

Proste s tým obdlžníkom hore 30kHz mám THD 0,3% a s uplne hnusným obdlžníkom s mnohonásobnými prekmtmi mám THD 0,0005% s mosfetmi. Zatial to vzdávam. Dosku hodím bokom. Ono ani s bipolarmi sa ten obvod nekompenzuje k peknému obdlžníku uplne lahko. Skúsim trochu linearizovať vstupný diferák pridaním prúdového zrkadla. Neskôr sa k mosfetom ešte vrátim.

31

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

alebo uz optimalizovane


https://preview.ibb.co/m89iZb/EF_bjt_vs_vmos_sch_optim.png
https://preview.ibb.co/ncTz7w/EF_bjt_vs_vmos_voltage_amp_optim.png

32 ...editoval Vasi (4. 12. 2017 18:37)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

A nemůže to nízké zkreslení u obdélníku s překmitem být způsobeno tím, že je to mnohem rychlejší? Ale, že bu to dělalo takový rozdíl se mi nezdá a spíše by se to projevilo až u poměrně vysoke frekvence.
- zkoušel jsi i emitorové odpory v diferáku?
- případně C3, C4 je kompenzace?
- nebyly by vhodnější, kdyby odbuzovací odpory u předbudiče a budiče byly odpojeny od výstupu?

Takže zatím 1:0 pro bipoláry? smile

Web

33 ...editoval mechanik (4. 12. 2017 22:13)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Vasi, schému som sem nedával... Kompenzácie mám NPO v C-B a to je diferencialny VAS. Potom ešte v NFB. Tiež som skúšal RC v kolektoroch vstupného diferencialneho stupna ale to je zvukovo menej dobré než vo VAS... No v simulácií keď dám na ten diferencialny VAS kondenzátory do C-B na oboch tranzistoroch tak je to mierne lepšie než na jednom. To musím skúsiť v realite.

Degenerovaný mám vstup aj rozkmit. S degeneráciami a prúdmi a ničím som pri mosfetoch nehýbal, oproti bipolarom. Hýbal som len s kompenzáciami a vymenil som bázové odpory koncákom na 100R. Tiež som používal okolo 50-100pF lokálnu kompenzáciu pre každý mosfet.

Každopadne mám chuť ísť s tým zapojením dalej. Pridám Wilsonove prúdové zrkadlo:

https://s18.postimg.cc/hd063w8pl/uprava004.png

Zlepší to hádam všetko, všetky parametre a podstatne. Trochu som to skúšal zvukovo a tiež to bol slušný rozdiel k lepšiemu... Potom sa vrátim k mosfetom. Teraz budem merať a ladiť moje rýchle osadenie - vstup 300MHz, VAS 400MHz, budiče 200MHz a konce 60/70MHz. Popri tom to zrkadlo.

Ako dalšiu fázu zvažujem uplne rovnaký VAS. Len bude otočený hore nohami s tranzistormi opačnej vodivosti... To vychádza ešte o dosť lepšie než mám.

Jj, zatial 1:0 smile Ako píšeš súvisí to nejako s tymi kompenzáciami. Pre to som zvedavý ako to bude fungovať v lepšom, linearnejšom ,rýchlejšom obvode s nižšími kompenzáciami.

Celé to zaberá hrozného času a je to hrozne vyčerpávajúce. Na stole mám desiatky šuflíkov odporov a keramických kondenzátorov. To chce overovať obdlžník aspoň pre 5 rôznych amplitúd. THD tak isto pre rôzne výkony idealne ešte aj viac frekvencií. To pre každú malú úpravu aby to išl porovnať. Idealne všetky tie výsledky aj uložiť. Pre to že keď je toho vela začne sa v tom človek strácať. Keby som takto ladil napríklad emitorové degenerácie vstupu a VAS tak tých úkonov a počet meraní a všetkého stúpne tak že človek má pár hodín čo robiť. Tak to ide pri každej úprave. Je to nekonečné. K mosfetom som si žiadne poznámky nerobil a žiadne meranie, THD ani obdlžnik neukladal. Zabralo by to zase hrozného času. Až to začne merať trochu zaujímavo tak si to uložím.

Výstup mám EF typu 2   http://images.slideplayer.com/39/109817 … ide_32.jpg

34

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Tak to beru mé dotazy zpět, já myslel, že máš zapojeno dle schéma v příspěvku #11.
Zkoušel jsem i báze rozkmitového tranzistoru zapojit na zdroj napětí a tahat vstupním diferákem za jeho emitorový odpor, a rozkmit byl také zapojen diferenciálně, ale už si nepamatuju, jak se to chovalo, musel bych pohledat.
   Času to zabere mnoho, vím o čem mluvíš. Já se taky snažím dát do kupy nějakou tu "slátaninu" a nejdřív používám simulátor a i to sežere času a
schémat tu mám už tolik, že se v tom ani nevyznám smile
Jsem zvědavý, jak zápas dopadne... Nicméně fandím

Web

35 ...editoval mechanik (10. 12. 2017 8:59)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Dík smile To zapojenie, myslíš ako VAS AD797? Je v datasheete... To som videl už viac krát, že signál ide nie do báz ale emitorov. To by ma zaujímalo či to malo prínos oproti VAS ako som napríklad nakreslil hore alebo oproti takej kaskode ako má PMA z kenwooda. Zase porovnávať to oproti klasickému zapojeniu, bez ničoho, to asi nemá cenu.

Inak s degeneráciami je to zaujímavé. Dala by sa stabilita dosahovať nimi, problém je že degenerácie znižujú zisk zapojenia a potom THD stúpa. Pri dobrých tranzistoroch je potom optimum okolo 10R. Chce to nájsť ten "bod zlomu"... Teda pri meraní obdlžníku by sa zdalo že vhodná je vysoká hodnota, zatial čo pri meraní THD sa ukáže že človek nemôže ísť ktovie ako vysoko. Platí pre nesymetrický diferencialny vstup alebo VAS s prúdovým zdrojom. Skúšal som v dvoch rôznych zapojeniach. Jedno malo 2EF výstup a druhé diamond buffer - preamp...

Ja by som chcel okolo nesymetrického diferencialneho vstupu a VASu skúsiť všetko. Nechcel by som kopírovať celé zapojenia z kníh a potom zase meniť za uplne iné zapojenia.

36 ...editoval mechanik (10. 12. 2017 11:00)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

Hmm, tak párované sankeny z GESu sú párované hádam pri 19°C. Len čo sa ohreje chladič tak na 35°C tak THD uletí z 0,0007% na 0,0010%. Ja sa potom trápim čím to je že tak perfektné tranzistory majú tak vysoké THD. V tomto asi nie je nad tranzistory toshiba...


Tak som si našiel primitívny návod na párovanie:

https://s17.postimg.cc/rix28qrjz/matching-_BJT.png


a takto už vyzerajú prvé pokusy (2SC5200):

https://s17.postimg.cc/eg1fp0qwv/20171210_085908.jpg


Len som sklamaný z toho pyrometra. Nevedel som že sa s tým zle merajú lesklé povrchy a tiež nikdy neviem ako velký je bod ktorým meriam. Na meranie teploty na tom TO-264 je to nepoužitelné. Radšej som si mal kúpiť kvalitné čidlo k tomu FULKE.

Asi to skúsim napárovať pre rôzne prúdy. Môj zdroj dá max 32V na kanál čo bude akurát. S teplotou neviem, rád by som to skúsil pre nejaku reálnu, tak 35°C. Tú by som udržoval na chladiči. Je velký tak má velkú zotrvačnosť, len neviem čím ho vykurovať, možno samotnými tranzistormi.

EDIT: 1 kanál zdroja + 1x TO-264 tranzistor na vyhrievanie, načiernenie chladiča a kontrola teploty pyrometrom, to by asi išlo...


Potom samotný obvod v "basic" s ktorým teraz pracujem:

https://s17.postimg.cc/60bv7piyn/schema2.png


a nejaka "evolucia", niečo z toho už mám odskúšané:

https://s17.postimg.cc/gaea71oan/evolution.png


v realnom obvode tiež nesmie chýbať na vstupe proti DC polypropylen a v NFB DC servo cool cool Ale sklaných HiFistov sklamem, ten polypropylen nie je na 2kV v externej krabici zaliaty umelou hmotou v hliníkovej krabici na 3 hrotoch a žulovom podstavci.

37

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

laco napsal:

alebo uz optimalizovane

Optimalizované je to na hovno, jelikož bipolární koncáky nebudíš z elektrárny smile
Nevidíš tam proudové zatížení VAS. Ostatně to není vidět při vyšších frekvencích ani u FETů.

38

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

mechanik napsal:

Tak som si našiel primitívny návod na párovanie:

A jakej důležitej parametr tam páruješ ?

39

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

mechanik napsal:

Len som sklamaný z toho pyrometra. Nevedel som že sa s tým zle merajú lesklé povrchy a tiež nikdy neviem ako velký je bod ktorým meriam. Na meranie teploty na tom TO-264 je to nepoužitelné. Radšej som si mal kúpiť kvalitné čidlo k tomu FULKE.

Pro lesklý povrch to kecá fest a i u černého povrchu musí být matný, ale i tak záleží na uhlu jakým na to svítíš..není to sranda. Jsem rád že používáš tu 189, je to dobrý multimetr...

Web

40 ...editoval mechanik (10. 12. 2017 14:03)

Re: THD koncových mosfetov bez chybovej korekcie

danhard, Vbe pri danom Ice. Jj, o to napätie zdroja nejde... Každopadne by som bol vdačnejší napríklad za nejaku užitočnú radu. Než hladanie zle napísaných vecí a rýpaní v tom.

reeb, asi by bolo lepšie klasické čidlo, hneď pri tranzistore. Zatial som to vyriešil takto:

https://s17.postimg.cc/we4jbr1lb/20171210_124825_1.jpg

je to čierna matná a plocha je dostatočná smile