Téma: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Ja vim, klasika je dat 100nF paralelne ke kazde diode. Kdyz jsem se nad tim ale zamyslel obvodove, tak to neni uplne korektni pristup.

Trochu jsem patral odkud se toto zakmitavani vlastne bere a vypada to, ze dominantni je indukcnost trafa a privodu (indukcnost samotnych diod se neuplatni) v kombinaci s kapacitou diod, trafa apod. Takze jde vlastne o LC rezonator (trafo, dioda+vinuti+co tam pripojime) vybuzeny ostrym rohem pri vypinani diody. Jestli je tato obvodova predstava spravna, tak by bylo korektni pouzit k zatlumeni techto oscilaci prvek R-C (pridani samotne C totiz oscilace nezatlumi, ale jen zvysi casovou konstantu).

Jenomze kamenem urazu je prave prakticke urceni R-C. (ma to zatlumit konkretni oscilaci, takze vyber hodnot je docela kriticky)

Chystam se postavit multikanalovy system a 6x nebo 8xmono se mi opravdu delat nechce. Rovnez neni moc moudre vsechny zesilovace davat na jednu kostku, vzhledem k bus pumbing efektu a nizkemu PSRR koncu. Jenomze jak zabranim tomu, abych dostal analogii systemu splasenych pruzin?
Idealni by pro me bylo nejak urcit jednu hodnotu R-C pripadne R-C+C a tuto kombinaci pripojit ke kazde diode v kazdem mustku. Jenomze jak toto urcit pro vetsi mnozstvi mustku? Jak vubec zmerim induktanci a parazitni kapacitanci trafa, abych to mohl odsimulovat?

Diky za jakykoli podnet k reseni problemu.

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

http://www.czechaudio.com/pdf/Zdroj_zakmity.pdf

(upravil reeb 2. 4. 2012 14:20)

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Bastlířský přístup přidání 22-100nF nefunguje, musí se udělat měření pro konkrétní zapojení. Jinak jak správně píšeš, nevhodná velikost C to může zhoršit. Lepší je použít diody Soft recovery (třeba taková BYV32-200, RF2001 ...)

ten odkaz je simulace..

Web

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Muzes prosim vysvetlit v cem by mely byt rychle diody lepsi? Nedari se mi na to prijit. Jak odstranuji problem s kmitanim LC kombinace dioda-trafo? Napada me jen, ze rychle diody (mala kapacita) zakmitavaji na podstatne vyssich kmitoctech...

(upravil DJ_Rix 2. 4. 2012 16:46)

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Tam jde hlavně o to SOFT RECOVERY,mrkni na charakteristiky-v některých datasheetech je najdeš.

Něco se k tomu dá počíst tady:
http://www.avtechpulse.com/appnote/techbrief9/

Pozn: Pozor na časovou osu v oscilogramech.

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Díval bych se já laik na věc takto: V daném zapojení (můstku) bývá dominantní oblast volných nosičů náboje v okolí přechodu diody. Běžná dioda má tuto oblast výrazně větší, a proto i větší náboj zůstává po repolarizaci, a určuje charakter přechodového jevu. U Schottkyho d. dosáhnu větší účinnosti, kratšího času přechodového děje, menší náboj se účastní nežádoucího děje, a s menší kapacitou tudíž vystačím na "zjemnění" průběhu. Nespojitosti rychlé diody budou tedy obsahovat méně energie, a na významné (a vyšší) frekvence jejich spektra budou stačit menší paralelní kapacity k diodám. Zbytek se tím spíše "vytluče" na R a L obvodů (při nešťastných délkách vodičů však i vyzáří). Proto bych postupoval empiricky a pro tři čtyři různé kapacity bych raději obvod podrobil experimentu, než se spoléhal na to, že modely diod v simulačních programech budou obsahovat potřebné "nábojové" vlastnosti diod.  Ale rád se budu mýlit a nechám se navést na exaktnější cestu. V tom případě děkuji za shovívavost k mému příspěvku.

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Sice uplne nechapu, proc se to chova o tolik lepe, ale mereni vypadaji jednoznacne. Jeste si rikam, jestli nebudou vadit ta rychla vypnuti (ostry roh = mnoho harmonickych), ale urcite je to daleko lepsi nez prime zakmity.

Digiting: Na Tvem vysvetleni neco bude, ale ma to jeden hacek: Pokud je to dobre chovani rychlych diod dano jejich malou kapacitou (resp. kapacitou, ktera rychle vymizi), tak si to urcite nechces kazit nejakym paralelne zapojenym kondikem. V simulaci ma kondik naopak vyhodu - spolehlive prekryje malosignalove chovani diody. Kdyz ja empirii moc neverim, kdyz neco funguje empiricky, tak si nikdy nemuzu byt jist, ze to nefunguje jen za prave nastalych podminek.

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Ony tam při těch překmitech vznikají právě vysokofrekvenční složky rušení,ty tím RC odfiltruješ. Fast recovery má malý a úzký ten překmit,ale na hraně pak vniká více rušení,Soft recovery má ten překmit delší,ale zotavení má lepší průběh (za cenu menší rychlosti diody) a proto je tam rušivých složek méně.
(pokud jsem byl nepřesný omluvte mě,v těchle věcech narovinu říkám že se pouštím na tenký led a nejsem odborník. smile )

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Záleží na použití- pro koncový zesilovač to bývá zbytečné (má-li logicky uspořádané trafo-kabeláž-usměrnovač-kondenzátory). I když se lze nimrat v detailech... V zesilovačích DPA žádné paralelní C, RC snubery ap. nejsou a funguje to skvěle.  Většinou se to řeší u ultra nš zdrojů malých výkonů , každý kdo dělal zdroj pro tranzistorák s AM ví že bez paralelních keramik to pořádně nejelo..
P.Macura ve svém nš zdroji http://web.telecom.cz/macura/zt15va.pdf použil soft recovery BY299 ..a na výstupu potom RC snuber.

http://www.cde.com/tech/design.pdf

Web

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

Napada me, ze podobne dobrych vysledku lze vlastne dosahnout i 100nF na kazde diode + snubber na sekundar. 100nF spolehlive zrusi prekmit a snubber se postara o zakmit. (Mam doma zasobu 35A kostek, nevyuzit je by byla vlastne dvoji skoda - musel bych koupit spoustu soft recovery diod - 16ks a 25Kc a zustaly by mi ty kostky) Pro vypocet mi pak staci zmerit L trafa, nebot vse ostatni bude dominovano temi 100n kondiky (tzn. ani nebude zalezet na modelu diody).

V kazdem pripade diky za vlakno - uz mam pocit, ze tomu rozumim a nebyl tu zadny OT, cimz to samozrejme nechci uzavirat smile

(upravil Digiting 4. 4. 2012 10:54)

Re: Jak resite zakmitavani diod v usmernovacim mustku? R-C vs. C

... o tomto řešení zde, domníval jsem se, celou dobu diskutujeme. A co se týče příspěvku 7 - dynamické chování diody zdaleka neurčuje jen kapacita přechodu, jež se navíc mění s polarizací, napětím, náboji, atd. Při repolarizaci diody hraje roli, pokud se pamatuji správně, i Demberovo napětí způsobené rozdílnou pohyblivostí elektronů a děr, povrchový náboj, jistě i indukčnost obvodu (t.j. vaše trafo, přívody, aj.), závislost efektivní doby života (náboje) na parametrech (technologii, rozměrech, apod.) diodové struktury, apod. Proto komutační náboj nelze tak prostě ztotožňovat s kapacitou přechodu a trivializovat děj příliš. Ale to asi víte, a jen jsem to chtěl připomenout, aby nedošlo k nedorozumění u čtenáře. Řešit komutační děj exaktně, teoreticky, by znamenalo vyřešit nemálo diferenciálních rovnic (což o to, to by numericky zvládlo PC), ale ne všechny parametry obvodu jsou nám, nevýrobcům, známy, a okrajové podmínky oněch diferenciálních rovnic taktéž. Proto bych se zde já laik domníval, že právě empirie (experiment) bude pro dané obvodové řešení a konkrétní použité diody rezultativní, a především opakovatelná, tzn. v daném rozpětí parametrů půjde o obecně platné řešení.
A ještě jsem málem zapomněl. U většího transformátoru bych rozhodně zvelebil i primární stranu, o pomalém startu nemluvě.