Mosfetový kapacitní násobič (Stránka 1 z 4)

Ježiš, já vůl tam našel,že mezi Gate a Source může být maximálně 20V, už jsem si myslel, že to bude ono, ale G a S je vlastně stejný,když je to sledovač,takže už nic :)Nějak mi to nemyslí

Zenerku dle Zukiho rady doplním a snad to vyřeší ty průrazy

Proč by se ten FET neměl chovat jako stabilizátor napětí?  Pokles napětí s proudem má každý stabilizátor (vyjma s kladnou proudovou vazbou...).  Pokud bude mít cca konstantní odběr tak o co de? A i kdyby neměl a předzatížil to tak na 0,5mA , tak mu to při 30mA klesne možná o Volt (nemám pdf IRF820). Největší původní problém byl ten, že to nebylo ppředzatíženo a zároveň nebyla žádná ochrana Gate tranzistoru. A vlivem čehokoli (třeba i statiky, svodu horšího FETu atd, se mohlo na výstup bez zatížení dostat libovolně vyšší napětí. Případně při pulzní zátěž = např. připojení zátěže s kapacitní složkou (elytem) spíše teoreticky i nižší než stabilizované a Gate se pak prostřelí ...

Neznám přesné použití (následující zátěž), ale běžné kolísání sítě bez stabilizátoru by bylo podstatně vyšší. Já osobně bych to doplnil o proudovou pojistku. Jeden malý tranzistor navíc a pár odporů (pokud by chtěl třeba S charakteristiku...). Cca takhle: http://zuki.hw.sweb.cz/schemata/Audio/Z … il250V.png
R2 dávám do zdrojů "navíc". Vydrží pak hrubší zacházení a rázy (rušení apod.) ze sítě atd... El. pojistka je na cca 130mA. Je to proto, že jinak by při trvalém zkratu nevypla klasická 50mA pojistka (potřebuje většinou min. 2,5 nasobek jmenovitého proudu). A zbytečně by pak topil FET.

Kdyby chtěl zpětnovazební se stabilizací na mV, tak si snad postaví zpětnovazební...  Zřejmě mu kolísání dle odběru cca o jeden V nevadí a FETy mají výhodu, že nemusíš řešit proudové buzení a klidně může být i krátkodobý odběr 10x vyšší a cca se nic neděje...  A u tranzistorů na vyšší napětí ta beta nebude zázračná...  Mě to příjde u této aplikace cca jedno co tam ze šuplíku vyndá, akorát to musí vydržet to napětí... Já mám doma v šuplíku na tohle napětí taky spíš FETy  (vyjma SU169) a tak bych po FETu taky šáhnul

Skoro vždy, když je někde brum a aspoň minimální kondy, tak je blbě udělanej plošňák. Tady je kondů jak na.ráno, takže asi ten plošňák... Bejvá to tím, že fyzické uspořádání není jako na sch. Pěkně postupně řazené za sebou, ale všelijak se to "mele na přeskáčku". Taky bych místo R2 nechal ty zenerky... Vyfoť to a uvidí se..

Ještě je možné, že to vinutí má velkou kapacitu na síť a cpe ti do dalších obvodů kapacitní proud... záleží, jak je to provedené i dál za tím. Jak je připojen zdroj signálu, atd... Ale lampáče jsem dělal naposledy když mi bylo tak 13-16let a to je už dost dlouho, takže nemám už praktickou představu (už si to ani nepamatuji) kolik a jak co vadí... Obecné zásady jak se dělá zdroj , co vadí a co už moc ne apod. platí ale asi obecně   Pokud stačí odpojit jen jeden (libovolný) sec a brum zmizí, tak to kapacitním proudem nebude. To by se musely odpojit oba, aby to přestalo brumět.  Taky by určitě pomohlo zvětšit hodnotu odporu mezi prvním a druhým elytem z 200R na 470R. Napěťová rezerva je značná a při 30mA je to úbytek na 470R jen 14V...

Je to přesně tak, jak jsem si myslel, že to bude blbě...  Proč je výstup GND u diod (ještě před prvním kondem) a né u FEtu (za vyhlazovacíma kondama)?  Opakuje se to u "začátečníků" skoro pravidelně, nevím co je k tomu láká? Pak jsou na GND "namodulované" úbytky na plošňáku od proudů co nabíjejí první elyty!  Popřehazuj si gnd, (aby to bylo postupně, jak je na sch )zvětši ten odpor na 470R a možná i ty kondy u diod (můstku). Můžeš to dělat postupně a uvidí se co mělo jaký vliv

Bez kondíků u diod (můstku) se na diodách objeví harmonické od 50Hz a třeba i všelijaký mix rušení apod...  Fólijáky se běžně vyskytují i na 275V a často stačí jen dva (pokud není místo na další). Zkusil bych dát po jednom (10-22nF/275AC) z každé střídaviny na gnd. Taky nevím proč nedat tu 50mA pojistku už na vstup (AC). Když se prorazí ta pochybná keramika, tak ti bez pojistky vyhoří trafo. Vzhledem ke kondům za ní, bych si zkontroloval její charakteristiku. Pravděpodobně to výjde na pomalou T (50mA ?).

Takže jsem provedl následujicí úpravy:

předělal zem dle Zukiho rad
zvětšil blokovací keramické kondy diod na 1OnF/5OOV
zvětšil srážecí rezistor na 47O Ohm/5W

a ve výsledku po brumu ani památky,bych nevěřil co udělá blbá zem na tišťáku,když jsem vyměnil ty blokovací kondenzátory k diodám,tak to brumělo o dost míň než bez nich,ale pořád to bylo dost slyšet,změnou země už to nebylo slyšet vůbec,zvětšení rezistoru už jen pro jistotu,když jsou vybitý kondy

Tímto bych chtěl Zukimu poradit za cenné rady,máš u mě pivo!

To je tak,kdyz clovek pise,ale myslenkama uz je jinde. Ma tam byt samozrejme podekovat. Kdybys mel cestu do Plzne,dej vedet:)

MJE ma podle DS hfe cca 20, odebiras 100mA tj bazovy proud je cca 5mA a dals mu tam odpor 3k3, tj 3k3*5mA=15.5V
U IRF je Ugs pro otevreni opet podle grafu v DS pro vetsi proud cca 5V,pouzil jsi N FET tak se to napeti Ugs od napeti na vystupu odecita (napeti na G musi byt vetsi nez na S o tech cca 5V)

To jak klesne brum taky zalezi, jaky je zdroj pred nim, filtracni kapacita. Ten s MJE ti "urizne" vetsi cast zvlneni.
Pokud mas napriklad filtracni kondik 47u pro tech 330V, je zvlneni pri 100mA zatezi cca 7V. Ten MJE ti to zvlneni cele zkonzumuje na ubytek na odporu zatimco mosfet nikoliv.

Ten prepocet hfe*kapacita zrejme bude platit i pro mosfet, transkonduktance.